高導電的半導體誕生
2020.05.14
高導電的半導體誕生
作者 / 編輯部
461期
日本東京大學化學學院研究團隊近日發現，以輕度摻雜鉭（Ta）的二氧化錫（SnO2）製成的半導體，不僅導電性增加，透明度（transparency）也有所提升，相關應用如太陽能板、觸控螢幕與發光二極體等的效能可望再進化。
半導體導電性二氧化錫透明氧化物半導體外延基材電洞遷移率載子密度
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