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【本刊訊】加州大學洛杉磯分校（University of California at Los Angeles, UCLA）研究團隊積極尋找能解決積體電路的散熱問題。近期研發出全新的半導體材料砷化硼（defect-free boron arsenide），比起以往使用的材料更能有效解決吸放熱問題。

積體電路在近年越做越小，目前可達到奈米級尺度，而現今的晶片上更可容納數十億個電晶體。根據摩爾定律（Moore's Law），積體電路上可容納的電晶體數量，大約每隔2年便會增加1倍。一代比一代還小的積體電路，能夠使電腦運算速度加快，這也代表著電腦能處理的工作越多。但越多的運算便會導致更多的熱能產生。

晶片在高溫之下會產生兩大問題。第一，由於晶片尺寸縮小，相同的單位面積之下所受的熱能相對提高，晶片在運算過程中的高熱能會降低處理器的速度。第二，為了降低晶片溫度會消耗更多的能源。

UCLA胡氏（Yongjie Hu）及其研發團隊找出的砷化硼材料有著比現階段使用的材料高出3倍以上的熱傳導率（thermal conductivity），這代表於熱點上的熱能能夠快速地排出。

胡氏表示，這項技術有著極高的潛力，並有助於大大提升電子產品的效能，減少其能源需求。或許未來能取代現有的半導體材料，徹底地改變電腦處理器和其他電子產品及LED等設備的散熱管理設計。

新聞來源

Joon Sang Kang et al. Experimental observation of high thermal conductivity in boron arsenide, Science, 2018.