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2018-02-01穿戴裝置的未來新能源—可撓式熱電晶片 578 期

Author 作者 游皓任/任職於中央研究院原子與分子科學 研究所尖端材料實驗室,專長領域為新穎熱電材料、熱電系統設計與量測、可撓式裝置。
當世界各國積極開發再生能源時,其中有一種再生能源熱 電晶片(Thermoelectric Module, TEM),除了體積小、 使用壽命長、無噪音外,還能將熱能與電能相互轉換,並回收廢熱轉換為生活用電。然而傳統熱電晶片目前遭遇相當大的瓶頸,例如:單價高、晶片易碎,所以一直難以在生活中的室溫環境下商業化。近年來可撓裝置與穿戴式裝置的興起,將熱電晶片改良為可撓式晶片應用在裝置中,為熱電晶片的應用帶來新的發展。
 

熱電材料原理

熱電晶片是利用具有可逆反應的熱電材料,當通過一電流時晶片內部熱電接腳的一端即產生熱,另一端則產生冷, 此現象為「帕爾帖效應(Peltier effect)」,其產物則為市面上通稱的制冷晶片(Thermoelectric Cooler, TEC)。相反的,若給晶片兩端溫差,晶片將產生電能,此現象即為「席貝克效應(Seebeck effect)」, 即市面上通稱的熱電發電晶片(Thermoelectric Generator, TEG)。

若想了解一個熱電晶片或材料性能的優劣,判讀熱電優值 (ZT)是最快的方法,熱電優值越高表示熱電效應越好。 熱電優值的定義為:ZT=(S2×σ×T)∕κ,其中S 為席貝克係數、σ 為導電率、T 為絕對溫度、κ 為熱導率,熱導率κ 又可以表示為κ=κpe,κp 為聲子熱傳導,κe 為電子熱傳導。由於熱電效應與溫度高度相關,在不同溫度區段裡,不同溫差下有不同代表性的幾種熱電材料,如常見的低溫高性能材料鉍化銻合金(Bi2Te3), 溫度區段為凱氏溫度0~300 度;中溫高性能材料鉛化銻合金 (PbTe),溫度區段為凱氏溫度300~600 度;高溫高性能材料半休氏勒合金(Half-Heusler),溫度區段為凱氏溫度600度以上。

儘管上述半導體材料已具有不錯的熱電優質,但由於電導率和熱導率高度相關的比例常數羅倫茲常數(Lorentz number),因此還是有不少研究以摻雜原子(doping)的技術改變電子能帶結構(electron band structure), 進而改良電導率或是熱導率,亦能開發具有相變(phase change)的材料,如二氧化釩(VO2), 以達成科學家們對熱電材料的理想。

 

傳統熱電晶片的致命傷

一般傳統熱電晶片的構造類似「三明治」,由上到下依序為:陶瓷 片→上銅電極→熱電材料→下銅電 極→陶瓷片,內部結構以串聯方式組成,因此有著體積小、使用壽命長、無噪音等優點。即便有著良好優勢,然因其單價高,且在凹凸不平的表片無法完整吸收熱能導致輸出過低,甚至因基板材料為陶瓷基板,所以很容易摔破。上述原因成了熱電晶片的致命傷,這也是為何熱電除了應用到工廠的鍋爐廢熱回收系統外,很難應用到室溫環境的主因之一。當然,科學家們也試圖以晶片微小化,薄型化為目標,但使用昂貴的製程如濺鍍(sputter)、熱蒸鍍(thermal deposition),甚至得使用高價的基板材料如薄型氧化鋁藍寶石(Aluminum Oxide, Sapphire),相對更不符合成本,且也做不到100%在不平的表面上貼附,反而降低熱電晶片應用的可能性。……【更多內容請閱讀科學月刊第578期】